Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6530ENZ4C13
R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6530ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.62 грн
30+210.80 грн
120+206.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6530ENZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6530ENZ4C13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6530ENZ4C13 R6530ENZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6530ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZ4C13 R6530ENZ4C13 ROHM r6530enz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZ4C13 datasheet?p=R6530ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6530ENZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZ4C13 r6530enz4c13-e.pdf
R6530ENZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.