Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6530KNX3C16
R6530KNX3C16

R6530KNX3C16 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6530KNX3C16 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 307W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6530KNX3C16

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6530KNX3C16 R6530KNX3C16 ROHM r6530knx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNX3C16 r6530knx3c16-e.pdf
R6530KNX3C16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.