R6530KNZ4C13 ROHM Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 341.46 грн |
| 25+ | 271.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6530KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxKNx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6530KNZ4C13 за ціною від 433.52 грн до 754.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6530KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6530KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6530KNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
R6530KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |