R6530KNZ4C13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 567.44 грн |
| 26+ | 543.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6530KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 305W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxKNx, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.
Інші пропозиції R6530KNZ4C13 за ціною від 408.43 грн до 575.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6530KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
R6530KNZ4C13 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
R6530KNZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 305W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
R6530KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6530KNZ4C13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 575.97 грн |
| 10+ | 498.49 грн |
| 100+ | 408.43 грн |
| R6530KNZ4C13 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6530KNZ4C13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 305W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 305W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6530KNZ4C13 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)