
R6530KNZC17 ROHM Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6530KNZC17 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6530KNZC17 за ціною від 114.43 грн до 531.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6530KNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
R6530KNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
R6530KNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |