R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.82 грн |
| 30+ | 270.20 грн |
| 120+ | 262.95 грн |
| 510+ | 229.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6535ENZ4C13 за ціною від 272.28 грн до 719.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6535ENZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6535ENZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 650V 35A TO-247, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6535ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6535ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |