Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6535ENZ4C13
R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.22 грн
30+163.38 грн
120+134.55 грн
510+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6535ENZ4C13 за ціною від 285.80 грн до 337.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6535ENZ4C13 R6535ENZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.13 грн
10+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13 R6535ENZ4C13 ROHM datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.46 грн
5+336.66 грн
10+335.85 грн
50+311.11 грн
100+286.49 грн
250+285.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13 datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6535ENZ4C13
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+318.13 грн
10+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13 datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6535ENZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+337.46 грн
5+336.66 грн
10+335.85 грн
50+311.11 грн
100+286.49 грн
250+285.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.