R6547ENZ4C13

R6547ENZ4C13 Rohm Semiconductor


r6547enz4c13-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+532.78 грн
24+508.38 грн
50+434.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6547ENZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA, Supplier Device Package: TO-247G, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6547ENZ4C13 за ціною від 344.30 грн до 719.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6547ENZ4C13 R6547ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6547enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+614.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
R6547ENZ4C13 R6547ENZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6547ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 650V 47A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+644.58 грн
10+622.68 грн
25+372.26 грн
100+344.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6547ENZ4C13 R6547ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6547ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.41 грн
30+404.50 грн
120+356.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.