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R6547KNZ4C13

R6547KNZ4C13 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch
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Технічний опис R6547KNZ4C13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6547KNZ4C13 R6547KNZ4C13 ROHM r6547knz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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R6547KNZ4C13 r6547knz4c13-e.pdf
R6547KNZ4C13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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