R6576ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1150.35 грн |
| 30+ | 778.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6576ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6576ENZ4C13 за ціною від 920.80 грн до 1268.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6576ENZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| R6576ENZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
R6576ENZ4C13 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |