R6576KNZ4C13 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1261.55 грн |
| 10+ | 1116.48 грн |
| 100+ | 942.90 грн |
| 500+ | 787.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6576KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxKNx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6576KNZ4C13 за ціною від 1138.55 грн до 1390.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6576KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
R6576KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
R6576KNZ4C13 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch |
на замовлення 579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
R6576KNZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6576KNZ4C13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1340.78 грн |
| R6576KNZ4C13 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1390.78 грн |
| 12+ | 1178.62 грн |
| 13+ | 1138.55 грн |
| R6576KNZ4C13 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6576KNZ4C13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





