R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor


datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.

Інші пропозиції R8001CND3FRATL за ціною від 67.10 грн до 235.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R8001CND3FRATL R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
10+164.01 грн
100+131.80 грн
500+101.62 грн
1000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATL R8001CND3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
10+150.05 грн
100+91.12 грн
500+73.87 грн
1000+71.80 грн
2500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATL datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.50 грн
10+164.01 грн
100+131.80 грн
500+101.62 грн
1000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATL datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.18 грн
10+150.05 грн
100+91.12 грн
500+73.87 грн
1000+71.80 грн
2500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.