Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8001CND3FRATL
R8001CND3FRATL

R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R8001CND3FRATL за ціною від 66.48 грн до 199.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8001CND3FRATL R8001CND3FRATL Виробник : Rohm Semiconductor r8001cnd3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+109.41 грн
118+104.52 грн
250+100.33 грн
500+93.25 грн
1000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATL R8001CND3FRATL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.96 грн
10+128.43 грн
100+78.48 грн
1000+72.67 грн
2500+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATL R8001CND3FRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.17 грн
10+172.38 грн
100+138.53 грн
500+106.81 грн
1000+88.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATL R8001CND3FRATL Виробник : Rohm Semiconductor r8001cnd3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R8001CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R8001CND3FRATL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.