Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8002ANJGTL
R8002ANJGTL

R8002ANJGTL ROHM Semiconductor

datasheet?p=R8002ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.77 грн
10+155.95 грн
100+94.58 грн
500+77.19 грн
1000+72.32 грн
2000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8002ANJGTL ROHM Semiconductor

Description: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R8002ANJGTL за ціною від 82.59 грн до 256.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8002ANJGTL R8002ANJGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.43 грн
10+155.04 грн
100+108.07 грн
500+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJGTL R8002ANJGTL Виробник : Rohm Semiconductor r8002anjgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+256.76 грн
72+196.29 грн
100+178.62 грн
200+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJGTL R8002ANJGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.