R8002ANX Rohm Semiconductor
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 113+ | 109.90 грн |
| 118+ | 104.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8002ANX Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 36, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції R8002ANX за ціною від 100.78 грн до 109.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R8002ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| R8002ANX |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
 |
R8002ANX | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 36 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 36 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
R8002ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
R8002ANX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
товару немає в наявності |