R8002ANX Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 113+ | 125.88 грн |
| 118+ | 120.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8002ANX Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 36, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції R8002ANX за ціною від 115.43 грн до 125.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R8002ANX | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| R8002ANX |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R8002ANX |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 113+ | 125.88 грн |
| 118+ | 120.25 грн |
| 250+ | 115.43 грн |



