Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8002CND3FRATL
R8002CND3FRATL

R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 69W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm.

Інші пропозиції R8002CND3FRATL за ціною від 83.24 грн до 286.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor r8002cnd3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.77 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor r8002cnd3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.72 грн
100+142.38 грн
105+134.83 грн
200+110.93 грн
1000+96.82 грн
2000+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+180.85 грн
100+126.80 грн
500+97.32 грн
1000+90.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 800V 2A N-CH
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL ROHM r8002cnd3fratl-e.pdf Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL ROHM r8002cnd3fratl-e.pdf Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL r8002cnd3fratl-e.pdf
R8002CND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+148.77 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL r8002cnd3fratl-e.pdf
R8002CND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+169.72 грн
100+142.38 грн
105+134.83 грн
200+110.93 грн
1000+96.82 грн
2000+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002CND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.88 грн
10+180.85 грн
100+126.80 грн
500+97.32 грн
1000+90.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002CND3FRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 800V 2A N-CH
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL r8002cnd3fratl-e.pdf
R8002CND3FRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATL r8002cnd3fratl-e.pdf
R8002CND3FRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.