Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8002KND3TL1
R8002KND3TL1

R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252GE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.35 грн
10+86.98 грн
100+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 30W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 30W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R8xxxKNx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm.

Інші пропозиції R8002KND3TL1 за ціною від 38.80 грн до 156.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 ROHM r8002knd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
10+97.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+96.06 грн
100+57.92 грн
500+48.12 грн
1000+43.15 грн
2500+39.21 грн
5000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 ROHM r8002knd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 r8002knd3tl1-e.pdf
R8002KND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.61 грн
10+97.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.25 грн
10+96.06 грн
100+57.92 грн
500+48.12 грн
1000+43.15 грн
2500+39.21 грн
5000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 r8002knd3tl1-e.pdf
R8002KND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.