R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 98.10 грн |
| 154+ | 93.71 грн |
| 250+ | 89.95 грн |
| 500+ | 83.61 грн |
| 1000+ | 74.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
147 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 30W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 30W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R8xxxKNx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm.
Інші пропозиції R8002KND3TL1 за ціною від 41.04 грн до 167.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8002KND3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-252GE Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R8002KND3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 4982 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R8002KND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 30W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
R8002KND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 30W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 30W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. |
| R8002KND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.93 грн |
| 10+ | 87.34 грн |
| 100+ | 59.15 грн |
| R8002KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.35 грн |
| 10+ | 79.68 грн |
| 100+ | 62.04 грн |
| 500+ | 51.54 грн |
| 1000+ | 46.21 грн |
| 2500+ | 43.18 грн |
| 5000+ | 41.04 грн |
| R8002KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R8002KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)