Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8003KND3TL1
R8003KND3TL1

R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.25 грн
10+139.74 грн
100+96.65 грн
500+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R8003KND3TL1 за ціною від 66.92 грн до 225.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 800V 3A N-CH MOSFET
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.05 грн
10+154.64 грн
100+94.45 грн
500+79.16 грн
1000+73.64 грн
2500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r8003knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+158.12 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r8003knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+223.02 грн
82+154.59 грн
100+140.23 грн
200+106.71 грн
500+92.02 грн
1000+76.75 грн
2000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.