R8003KNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 175.69 грн |
| 109+ | 112.25 грн |
| 130+ | 94.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8003KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R8003KNXC7G за ціною від 73.82 грн до 193.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8003KNXC7G | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R8003KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R8003KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 800V 3A N-CH MOSFET |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
R8003KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| R8003KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| R8003KNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |