R8005ANJGTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 133.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8005ANJGTL Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263S, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R8005ANJGTL за ціною від 127.55 грн до 294.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R8005ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R8005ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R8005ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R8005ANJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|