R8005ANX Rohm Semiconductor
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 113.60 грн |
| 110+ | 111.17 грн |
| 152+ | 80.09 грн |
| 200+ | 75.98 грн |
| 1000+ | 69.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8005ANX Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R8005ANX за ціною від 63.57 грн до 191.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R8005ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8005ANX | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 51 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8005ANX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8005ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|