Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8005ANX
R8005ANX

R8005ANX Rohm Semiconductor

r8005anx-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
169+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8005ANX Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції R8005ANX за ціною від 87.56 грн до 209.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R8005ANX R8005ANX Rohm Semiconductor datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.08 грн
10+127.08 грн
100+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX R8005ANX Rohm Semiconductor r8005anx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.32 грн
97+146.15 грн
103+138.61 грн
200+99.11 грн
1000+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX R8005ANX ROHM Semiconductor datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX R8005ANX ROHM ROHM-S-A0007229633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.08 грн
10+127.08 грн
100+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX r8005anx-e.pdf
R8005ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+209.32 грн
97+146.15 грн
103+138.61 грн
200+99.11 грн
1000+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX datasheet?p=R8005ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANX
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANX ROHM-S-A0007229633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
R8005ANX
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.