Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8006KND3TL1
R8006KND3TL1

R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor

r8006knd3tl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+223.73 грн
100+177.76 грн
500+153.98 грн
1000+144.94 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R8006KND3TL1 за ціною від 110.17 грн до 297.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8006KND3TL1 R8006KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.15 грн
10+207.04 грн
100+161.30 грн
500+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1 R8006KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r8006knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+293.53 грн
55+223.41 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1 R8006KND3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R8006KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.57 грн
10+218.68 грн
100+153.94 грн
500+137.34 грн
1000+132.81 грн
2500+112.44 грн
5000+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1 R8006KND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.