R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 268.53 грн |
| 100+ | 213.34 грн |
| 500+ | 184.81 грн |
| 1000+ | 173.95 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
55 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R8006KND3TL1 за ціною від 115.36 грн до 358.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8006KND3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R8006KND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R8006KND3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| R8006KND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 322.86 грн |
| 10+ | 205.07 грн |
| 50+ | 159.66 грн |
| 100+ | 136.11 грн |
| 500+ | 117.10 грн |
| R8006KND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 352.30 грн |
| 55+ | 268.14 грн |
| R8006KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 358.89 грн |
| 10+ | 182.09 грн |
| 100+ | 144.01 грн |
| 500+ | 123.65 грн |
| 2500+ | 115.36 грн |