R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 210.44 грн |
| 250+ | 170.59 грн |
| 500+ | 161.02 грн |
| 1000+ | 144.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R8006KND3TL1 за ціною від 127.83 грн до 280.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R8006KND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8006KND3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET |
на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8006KND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R8006KND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |