R8006KNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 213.86 грн |
| 64+ | 193.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8006KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R8xxxKNx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R8006KNXC7G за ціною від 111.95 грн до 311.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8006KNXC7G | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R8006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R8006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R8006KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R8006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
R8006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |