Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8007AND3FRATL
R8007AND3FRATL

R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+203.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

Інші пропозиції R8007AND3FRATL за ціною від 156.79 грн до 404.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor r8007and3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.28 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor r8007and3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.10 грн
58+247.98 грн
100+247.04 грн
500+200.94 грн
1000+177.64 грн
2000+156.79 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.50 грн
10+350.05 грн
100+286.78 грн
500+229.11 грн
1000+193.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL ROHM r8007and3fratl-e.pdf Description: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL ROHM r8007and3fratl-e.pdf Description: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL r8007and3fratl-e.pdf
R8007AND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+264.28 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL r8007and3fratl-e.pdf
R8007AND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+312.10 грн
58+247.98 грн
100+247.04 грн
500+200.94 грн
1000+177.64 грн
2000+156.79 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8007AND3FRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+404.50 грн
10+350.05 грн
100+286.78 грн
500+229.11 грн
1000+193.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL datasheet?p=R8007AND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8007AND3FRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL r8007and3fratl-e.pdf
R8007AND3FRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATL r8007and3fratl-e.pdf
R8007AND3FRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.