R8008ANJFRGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 434.26 грн |
| 10+ | 297.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8008ANJFRGTL ROHM
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 195W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R8008ANJFRGTL за ціною від 153.18 грн до 458.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R8008ANJFRGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R8008ANJFRGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC On-state resistance: 1.54Ω Drain current: 8A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
R8008ANJFRGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC On-state resistance: 1.54Ω Drain current: 8A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |