Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8008ANJFRGTL
R8008ANJFRGTL

R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor

r8008anjfrgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+294.55 грн
52+238.56 грн
100+214.22 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 195, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції R8008ANJFRGTL за ціною від 156.78 грн до 489.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.67 грн
10+278.50 грн
100+200.35 грн
500+156.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM 2918339.pdf Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+438.82 грн
100+360.60 грн
500+285.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.66 грн
10+303.84 грн
100+192.28 грн
250+191.55 грн
500+164.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM 2918339.pdf Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+489.04 грн
10+438.82 грн
100+360.60 грн
500+285.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R8008ANJFRGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.