R8008ANJFRGTL

R8008ANJFRGTL ROHM Semiconductor


datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.39 грн
10+313.10 грн
100+220.80 грн
500+196.18 грн
1000+167.83 грн
2000+158.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8008ANJFRGTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 195W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R8008ANJFRGTL за ціною від 159.35 грн до 458.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM r8008anjfrgtl-e.pdf Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+429.27 грн
10+293.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.76 грн
10+283.07 грн
100+203.63 грн
500+159.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : Rohm Semiconductor r8008anjfrgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+458.23 грн
50+306.58 грн
100+247.87 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM r8008anjfrgtl-e.pdf Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL R8008ANJFRGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R8008ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.