Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8008ANJGTL
R8008ANJGTL

R8008ANJGTL Rohm Semiconductor

r8008anjgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+198.55 грн
65+190.99 грн
100+184.51 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8008ANJGTL Rohm Semiconductor

Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R8008ANJGTL за ціною від 166.81 грн до 497.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.69 грн
10+276.41 грн
100+197.90 грн
500+176.67 грн
1000+170.60 грн
5000+166.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Виробник : Rohm Semiconductor r8008anjgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+367.86 грн
50+289.21 грн
100+233.49 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.86 грн
10+322.33 грн
100+233.52 грн
500+183.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R8008ANJGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.