R8008ANJGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 197.13 грн |
| 65+ | 189.62 грн |
| 100+ | 183.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8008ANJGTL Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R8008ANJGTL за ціною від 165.61 грн до 494.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8008ANJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R8008ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R8008ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| R8008ANJGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC On-state resistance: 1.54Ω Drain current: 8A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
R8008ANJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| R8008ANJGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC On-state resistance: 1.54Ω Drain current: 8A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |