R8008ANX Rohm Semiconductor
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 219.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8008ANX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R8008ANX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R8008ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FMPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
R8008ANX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
товару немає в наявності |