R8011KNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 206.11 грн |
| 65+ | 187.44 грн |
| 100+ | 152.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8011KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R8011KNXC7G за ціною від 149.64 грн до 338.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8011KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R8011KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|