Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R8011KNZ4C13
R8011KNZ4C13

R8011KNZ4C13 Rohm Semiconductor

r8011knz4c13-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 11A, TO-247AD, HIGH-SPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+242.54 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8011KNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: NCH 800V 11A, TO-247AD, HIGH-SPE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA, Supplier Device Package: TO-247G, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R8011KNZ4C13 за ціною від 285.87 грн до 564.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R8011KNZ4C13 R8011KNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r8011knz4c13-e.pdf Description: NCH 800V 11A, TO-247AD, HIGH-SPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.27 грн
10+369.82 грн
100+285.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNZ4C13 R8011KNZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor r8011knz4c13-e.pdf MOSFETs TO247 800V N CH 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.