RA1C030LDT5CL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 50.30 грн |
| 24+ | 34.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RA1C030LDT5CL ROHM
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RA1C030LDT5CL за ціною від 10.87 грн до 55.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RA1C030LDT5CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RA1C030LD is a WLCSP MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for Switching circuits, Single-Cell Battery Applications, Mobile Applications. |
на замовлення 29165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RA1C030LDT5CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006: Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DSN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +7V, -0.2V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V |
на замовлення 14108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RA1C030LDT5CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RA1C030LDT5CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006: Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DSN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +7V, -0.2V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |