RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +7V, -0.2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.68 грн |
| 12+ | 26.87 грн |
| 50+ | 19.58 грн |
| 100+ | 16.15 грн |
| 500+ | 12.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RA1C030LDT5CL за ціною від 8.13 грн до 10.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RA1C030LDT5CL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive) |
на замовлення 11636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
RA1C030LDT5CL | ROHM |
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RA1C030LDT5CL | ROHM |
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 85 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RA1C030LDT5CL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 3A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Power dissipation: 1W On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14490 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| RA1C030LDT5CL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 11636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RA1C030LDT5CL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RA1C030LDT5CL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RA1C030LDT5CL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 3A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 3A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 484+ | 10.57 грн |
| 500+ | 9.14 грн |
| 1000+ | 8.64 грн |
| 4000+ | 8.22 грн |
| 10000+ | 8.13 грн |