Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RA1C030LDT5CL
RA1C030LDT5CL

RA1C030LDT5CL ROHM Semiconductor

datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.39 грн
12+28.42 грн
100+15.88 грн
500+12.01 грн
1000+9.66 грн
5000+8.56 грн
10000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RA1C030LDT5CL ROHM Semiconductor

Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): +7V, -0.2V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: DSN1006-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN.

Інші пропозиції RA1C030LDT5CL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RA1C030LDT5CL RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +7V, -0.2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DSN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RA1C030LDT5CL RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +7V, -0.2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DSN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RA1C030LDT5CL datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RA1C030LDT5CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +7V, -0.2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DSN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RA1C030LDT5CL datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RA1C030LDT5CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +7V, -0.2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DSN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.