RA73F2A412RBTDF HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY
Виробник: HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY
Description: HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY - RA73F2A412RBTDF - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 412 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Leistungsstark, präzise
Widerstand: 412ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RA73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY - RA73F2A412RBTDF - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 412 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
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Qualifikation: -
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Leistungsstark, präzise
Widerstand: 412ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RA73 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 77.19 грн |
| 250+ | 60.38 грн |
| 500+ | 54.63 грн |
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Технічний опис RA73F2A412RBTDF HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY
Description: HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY - RA73F2A412RBTDF - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 412 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0805 [Metrisch 2012], tariffCode: 85332100, rohsCompliant: YES, Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012], Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Nennleistung: 1W, Widerstandstyp: Leistungsstark, präzise, Widerstand: 412ohm, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -55°C, Widerstandstoleranz: ± 0.1%, Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C, Produktlänge: 2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: RA73 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Nennspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 155°C, Produktbreite: 1.25mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RA73F2A412RBTDF за ціною від 54.63 грн до 176.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
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RA73F2A412RBTDF | Виробник : HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY |
Description: HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY - RA73F2A412RBTDF - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 412 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0805 [Metrisch 2012] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Leistungsstark, präzise Widerstand: 412ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: RA73 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RA73F2A412RBTDF | Виробник : TE Connectivity / Holsworthy |
 Thin Film Resistors - SMD RA73F 2A 412R 0.1% 1K RL |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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