RABS20M M3G TAIWAN SEMICONDUCTOR


RABS20M.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Case: ABS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.16V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+21.11 грн
33+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RABS20M M3G TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 2A, Max. forward impulse current: 50A, Case: ABS, Electrical mounting: SMT, Kind of package: reel; tape, Max. forward voltage: 1.16V, Features of semiconductor devices: glass passivated.

Інші пропозиції RABS20M M3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RABS20M M3G RABS20M M3G Taiwan Semiconductor Bridge Rectifiers 300ns, 2A, 1000V, Fast Recovery Bridge Rectifier
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RABS20M M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 300ns, 2A, 1000V, Fast Recovery Bridge Rectifier
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.