Продукція > ROHM > RAL035P01TCR
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR ROHM


ral035p01tcr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.03 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.43 грн
500+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RAL035P01TCR ROHM

Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.03 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RAL035P01TCR за ціною від 10.30 грн до 52.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RAL035P01TCR RAL035P01TCR Виробник : ROHM Semiconductor ral035p01tcr_e-1873044.pdf MOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.91 грн
10+34.18 грн
100+20.67 грн
500+17.44 грн
1000+13.46 грн
3000+11.11 грн
9000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR RAL035P01TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
10+34.71 грн
100+25.91 грн
500+19.10 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR RAL035P01TCR Виробник : ROHM ral035p01tcr-e.pdf Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.03 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.82 грн
23+37.30 грн
100+24.43 грн
500+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RAL035P01TCR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR RAL035P01TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.