Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RAL035P01TCR
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
10+33.80 грн
100+25.23 грн
500+18.60 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RAL035P01TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

Інші пропозиції RAL035P01TCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RAL035P01TCR RAL035P01TCR ROHM Semiconductor ral035p01tcr_e-1873044.pdf MOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR RAL035P01TCR ROHM datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR RAL035P01TCR ROHM datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR ral035p01tcr_e-1873044.pdf
RAL035P01TCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RAL035P01TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RAL035P01TCR datasheet?p=RAL035P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RAL035P01TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.