RAL1M Diotec Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 24.73 грн |
| 26+ | 12.38 грн |
| 100+ | 6.90 грн |
| 500+ | 6.08 грн |
| 1000+ | 5.04 грн |
| 2500+ | 4.97 грн |
| 10000+ | 3.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RAL1M Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO213AA, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF), Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції RAL1M за ціною від 4.81 грн до 24.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RAL1M | Diotec Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO213AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RAL1M |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.85 грн |
| 17+ | 18.17 грн |
| 25+ | 15.85 грн |
| 100+ | 9.63 грн |
| 250+ | 7.98 грн |
| 500+ | 6.38 грн |
| 1000+ | 4.81 грн |