RB080AR-40T7R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DSN20122
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DSN2012-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.25 грн |
| 10+ | 44.24 грн |
| 100+ | 29.52 грн |
| 500+ | 22.11 грн |
| 1000+ | 19.42 грн |
| 2000+ | 18.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RB080AR-40T7R Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DSN20122, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0805 (2012 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: DSN2012-2, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V.
Інші пропозиції RB080AR-40T7R за ціною від 18.30 грн до 75.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RB080AR-40T7R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode RASMID™ Series, Low VF, 40V, 4A, SMD2012 |
на замовлення 11098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RB080AR-40T7R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DSN20122 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DSN2012-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V |
товару немає в наявності |