RB088BGE100TL ROHM Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.64 грн |
| 10+ | 132.58 грн |
| 100+ | 93.14 грн |
| 500+ | 76.27 грн |
| 1000+ | 62.22 грн |
| 2500+ | 60.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RB088BGE100TL ROHM Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RB088BGE100TL за ціною від 61.75 грн до 191.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RB088BGE100TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RB088BGE100TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |