
RB088BGE150TL ROHM Semiconductor
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.15 грн |
10+ | 99.59 грн |
100+ | 61.94 грн |
500+ | 50.20 грн |
1000+ | 46.09 грн |
2500+ | 43.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RB088BGE150TL ROHM Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-252, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 150 V.
Інші пропозиції RB088BGE150TL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
RB088BGE150TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 150 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
RB088BGE150TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 150 V |
товару немає в наявності |