RB215T-60HZC9

RB215T-60HZC9 ROHM Semiconductor


rb215t-60hz-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode (AEC-Q101 Qualified)
на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.24 грн
10+127.83 грн
100+108.13 грн
500+87.71 грн
1000+86.20 грн
2000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RB215T-60HZC9 ROHM Semiconductor

Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 10A TO220FN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220FN, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RB215T-60HZC9 за ціною від 95.35 грн до 268.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RB215T-60HZC9 RB215T-60HZC9 Виробник : Rohm Semiconductor rb215t-60hz-e.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.28 грн
50+128.56 грн
100+124.54 грн
500+95.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.