Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RB218BM200FNSTL
RB218BM200FNSTL

RB218BM200FNSTL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers RB218BM200FNS is a ultra low IR schottky barrier diode, suitable for Switching power supply.
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.86 грн
10+130.20 грн
100+89.74 грн
500+76.63 грн
1000+68.07 грн
2500+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RB218BM200FNSTL ROHM Semiconductor

Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-252, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Інші пропозиції RB218BM200FNSTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RB218BM200FNSTL Rohm Semiconductor Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB218BM200FNSTL Rohm Semiconductor Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB218BM200FNSTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB218BM200FNSTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.