RB218BM200FNSTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 122.58 грн |
| 125+ | 113.98 грн |
| 148+ | 96.05 грн |
| 200+ | 87.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RB218BM200FNSTL Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-252, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RB218BM200FNSTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RB218BM200FNSTL | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers RB218BM200FNS is a ultra low IR schottky barrier diode, suitable for Switching power supply. |
на замовлення 4938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
RB218BM200FNSTL | Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky Si 200V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 65 шт В кошику од. на суму грн. |
| RB218BM200FNSTL |
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers RB218BM200FNS is a ultra low IR schottky barrier diode, suitable for Switching power supply.
Schottky Diodes & Rectifiers RB218BM200FNS is a ultra low IR schottky barrier diode, suitable for Switching power supply.
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RB218BM200FNSTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky Si 200V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky Si 200V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)