
RB228NS100FHTL Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 8.2 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.94 грн |
10+ | 89.22 грн |
100+ | 71.01 грн |
500+ | 56.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RB228NS100FHTL Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 8.2 ns, Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RB228NS100FHTL за ціною від 45.80 грн до 122.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RB228NS100FHTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RB228NS100FHTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 8.2 ns Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |