Продукція > RENESAS ELECTRONICS > RBA200N15YANS-3UA03#GB0
RBA200N15YANS-3UA03#GB0

RBA200N15YANS-3UA03#GB0 Renesas Electronics

REN_r07ds1628ej0100_mosfet_DST_20250918_1.pdf
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RBA200N15YANS-3UA03#GB0 Renesas Electronics

Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 366W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.

Інші пропозиції RBA200N15YANS-3UA03#GB0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RBA200N15YANS-3UA03#GB0 RBA200N15YANS-3UA03#GB0 RENESAS 4626347.pdf Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RBA200N15YANS-3UA03#GB0 RBA200N15YANS-3UA03#GB0 RENESAS 4626347.pdf Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBA200N15YANS-3UA03#GB0 4626347.pdf
RBA200N15YANS-3UA03#GB0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RBA200N15YANS-3UA03#GB0 4626347.pdf
RBA200N15YANS-3UA03#GB0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.