Продукція > RENESAS ELECTRONICS > RBA200N15YAPF-6UA03#KB0
RBA200N15YAPF-6UA03#KB0

RBA200N15YAPF-6UA03#KB0 Renesas Electronics


rba200n15yapf-6ua03-datasheet?queryID=0039e0e6a5b82a0119525103f6f873e4
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT
на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.34 грн
10+395.39 грн
25+318.66 грн
100+290.01 грн
250+276.73 грн
500+269.05 грн
1300+259.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RBA200N15YAPF-6UA03#KB0 Renesas Electronics

Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TOLT, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RBA200N15YAPF-6UA03#KB0 за ціною від 311.58 грн до 637.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RBA200N15YAPF-6UA03#KB0 Виробник : Renesas Electronics Corporation rba200n15yapf-6ua03-datasheet?queryID=0039e0e6a5b82a0119525103f6f873e4 Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+637.59 грн
10+419.86 грн
100+311.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBA200N15YAPF-6UA03#KB0 Виробник : Renesas Electronics Corporation rba200n15yapf-6ua03-datasheet?queryID=0039e0e6a5b82a0119525103f6f873e4 Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLT
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.