Продукція > RENESAS > RBA300N10EANS-3UA02#GB0
RBA300N10EANS-3UA02#GB0

RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RENESAS

power-products-brochure Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+227.80 грн
500+187.15 грн
1000+148.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RENESAS

Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RBA300N10EANS-3UA02#GB0 за ціною від 138.90 грн до 429.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1573ej0100-rba300n10eans-3ua02_DST_20241108.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.44 грн
10+258.70 грн
100+182.68 грн
500+161.55 грн
1000+138.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Виробник : RENESAS power-products-brochure Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+422.57 грн
10+281.15 грн
100+227.80 грн
500+187.15 грн
1000+148.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Виробник : Renesas Electronics Corporation power-products-brochure Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.53 грн
10+275.93 грн
100+197.82 грн
500+154.39 грн
1000+147.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Виробник : Renesas Electronics Corporation power-products-brochure Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.