RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 130.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RBA300N10EANS-3UA02#GB0 за ціною від 127.67 грн до 365.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 100V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|