Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RBA300N10EANS-3UA02#GB0
RBA300N10EANS-3UA02#GB0

RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation

power-products-brochure
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RBA300N10EANS-3UA02#GB0 за ціною від 129.40 грн до 370.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RENESAS RNCC-S-A0024771003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.40 грн
500+156.18 грн
1000+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation power-products-brochure Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.02 грн
10+227.95 грн
100+162.82 грн
500+146.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics REN_r07ds1573ej0100-rba300n10eans-3ua02_DST_20241108.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.39 грн
10+241.01 грн
100+170.19 грн
500+150.50 грн
1000+129.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RENESAS RNCC-S-A0024771003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.03 грн
10+246.14 грн
100+176.40 грн
500+156.18 грн
1000+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RNCC-S-A0024771003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RBA300N10EANS-3UA02#GB0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+176.40 грн
500+156.18 грн
1000+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 power-products-brochure
RBA300N10EANS-3UA02#GB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+356.02 грн
10+227.95 грн
100+162.82 грн
500+146.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 REN_r07ds1573ej0100-rba300n10eans-3ua02_DST_20241108.pdf
RBA300N10EANS-3UA02#GB0
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+368.39 грн
10+241.01 грн
100+170.19 грн
500+150.50 грн
1000+129.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RNCC-S-A0024771003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RBA300N10EANS-3UA02#GB0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+370.03 грн
10+246.14 грн
100+176.40 грн
500+156.18 грн
1000+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.