RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 229.91 грн |
| 500+ | 189.23 грн |
| 1000+ | 150.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 RENESAS
Description: RENESAS - RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 за ціною від 139.74 грн до 426.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |