Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RBA40N10EANS-5UA11#HB0
RBA40N10EANS-5UA11#HB0

RBA40N10EANS-5UA11#HB0 Renesas Electronics Corporation

rba40n10eans-5ua11-datasheet?queryID=e137a6bb33157840ba6d77f1dfebc5ed
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA
Supplier Device Package: μSO8-FL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RBA40N10EANS-5UA11#HB0 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA, Supplier Device Package: μSO8-FL, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RBA40N10EANS-5UA11#HB0 за ціною від 36.85 грн до 122.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RBA40N10EANS-5UA11#HB0 RBA40N10EANS-5UA11#HB0 Renesas Electronics Corporation rba40n10eans-5ua11-datasheet?queryID=e137a6bb33157840ba6d77f1dfebc5ed Description: MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA
Supplier Device Package: μSO8-FL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.50 грн
50+55.87 грн
100+46.78 грн
500+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBA40N10EANS-5UA11#HB0 RBA40N10EANS-5UA11#HB0 Renesas Electronics r07ds1622ej0101_rba40n10eans_5ua11.pdf MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RBA40N10EANS-5UA11#HB0 RBA40N10EANS-5UA11#HB0 RENESAS 4626350.pdf Description: RENESAS - RBA40N10EANS-5UA11#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RBA40N10EANS-5UA11#HB0 rba40n10eans-5ua11-datasheet?queryID=e137a6bb33157840ba6d77f1dfebc5ed
RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA
Supplier Device Package: μSO8-FL
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.28 грн
10+74.50 грн
50+55.87 грн
100+46.78 грн
500+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBA40N10EANS-5UA11#HB0 r07ds1622ej0101_rba40n10eans_5ua11.pdf
RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RBA40N10EANS-5UA11#HB0 4626350.pdf
RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBA40N10EANS-5UA11#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.