RBE015N10R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 340A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.88 грн |
| 10+ | 231.47 грн |
| 100+ | 165.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBE015N10R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RBE015N10R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 468W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm.
Інші пропозиції RBE015N10R1SZQ4#GB0
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RBE015N10R1SZQ4#GB0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RBE015N10R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 468W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: REXFET-1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RBE015N10R1SZQ4#GB0 | Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
RBE015N10R1SZQ4#GB0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RBE015N10R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RBE015N10R1SZQ4#GB0 |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBE015N10R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
Description: RENESAS - RBE015N10R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RBE015N10R1SZQ4#GB0 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RBE015N10R1SZQ4#GB0 |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBE015N10R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: RENESAS - RBE015N10R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)