Продукція > RENESAS > RBE034N15R1SZQ4#GB0
RBE034N15R1SZQ4#GB0

RBE034N15R1SZQ4#GB0 RENESAS

4626348.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+406.51 грн
50+360.08 грн
100+272.33 грн
250+265.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RBE034N15R1SZQ4#GB0 RENESAS

Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 366W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.

Інші пропозиції RBE034N15R1SZQ4#GB0 за ціною від 255.57 грн до 636.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
RBE034N15R1SZQ4#GB0 RBE034N15R1SZQ4#GB0 RENESAS 4626348.pdf Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.25 грн
5+474.13 грн
10+406.51 грн
50+360.08 грн
100+272.33 грн
250+265.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBE034N15R1SZQ4#GB0 RBE034N15R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics Corporation rbe034n15r1szq4-datasheet?queryID=b912dcfdceba631e4baf3ddc9e83cb0a Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.17 грн
10+401.53 грн
100+295.73 грн
500+276.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBE034N15R1SZQ4#GB0 RBE034N15R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics r07ds1636ej0100_mosfet.pdf MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.25 грн
10+428.01 грн
100+274.42 грн
500+272.33 грн
1000+255.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBE034N15R1SZQ4#GB0 4626348.pdf
RBE034N15R1SZQ4#GB0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+592.25 грн
5+474.13 грн
10+406.51 грн
50+360.08 грн
100+272.33 грн
250+265.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBE034N15R1SZQ4#GB0 rbe034n15r1szq4-datasheet?queryID=b912dcfdceba631e4baf3ddc9e83cb0a
RBE034N15R1SZQ4#GB0
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+611.17 грн
10+401.53 грн
100+295.73 грн
500+276.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RBE034N15R1SZQ4#GB0 r07ds1636ej0100_mosfet.pdf
RBE034N15R1SZQ4#GB0
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+636.25 грн
10+428.01 грн
100+274.42 грн
500+272.33 грн
1000+255.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.