RBE111N10R1SZN2#HB0 RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBE111N10R1SZN2#HB0 RENESAS
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RBE111N10R1SZN2#HB0
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RBE111N10R1SZN2#HB0 | Renesas Electronics |
 MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RBE111N10R1SZN2#HB0 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)