RBE111N10R1SZN2#HB0 Renesas Electronics
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.96 грн |
| 10+ | 71.20 грн |
| 100+ | 41.72 грн |
| 500+ | 32.84 грн |
| 1000+ | 29.98 грн |
| 3000+ | 27.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBE111N10R1SZN2#HB0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RBE111N10R1SZN2#HB0 за ціною від 30.19 грн до 115.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RBE111N10R1SZN2#HB0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: REXFET-1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|