RBQ10BGE10ATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RBQ10BGE10ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 770mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.95 грн |
| 500+ | 54.64 грн |
| 1000+ | 45.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBQ10BGE10ATL ROHM
Description: ROHM - RBQ10BGE10ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 770mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RBQ10BGE10ATL за ціною від 45.77 грн до 175.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RBQ10BGE10ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RBQ10BGE10ATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RBQ10BGE10ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 770mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RBQ10BGE10ATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 10A, TO-252, Cathode Common, Low IR Schottky Barrier Diode |
на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RBQ10BGE10ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |