
RBQ10BGE65ATL ROHM Semiconductor

Schottky Diodes & Rectifiers 65V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low IR Schottky Barrier Diode
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.98 грн |
10+ | 82.26 грн |
100+ | 48.54 грн |
500+ | 39.39 грн |
1000+ | 38.07 грн |
2500+ | 37.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBQ10BGE65ATL ROHM Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO252GE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V.
Інші пропозиції RBQ10BGE65ATL за ціною від 91.59 грн до 148.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RBQ10BGE65ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
RBQ10BGE65ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V |
товару немає в наявності |