RBQ10NS100ATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.76 грн |
| 10+ | 108.25 грн |
| 100+ | 86.15 грн |
| 500+ | 68.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBQ10NS100ATL Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RBQ10NS100ATL за ціною від 55.56 грн до 148.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RBQ10NS100ATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers Low IR, 100V, 10A, TO-263S (D2PAK), Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RBQ10NS100ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |