
RBQ30NS65AFHTL Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16.1 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 43.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBQ30NS65AFHTL Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 30A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16.1 ns, Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 65 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RBQ30NS65AFHTL за ціною від 37.28 грн до 128.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RBQ30NS65AFHTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 16.1 ns Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 65 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RBQ30NS65AFHTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RBQ30NS65AFHTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |