RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 43.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V.
Інші пропозиції RBR10BGE30ATL за ціною від 39.21 грн до 150.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RBR10BGE30ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V |
на замовлення 4874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RBR10BGE30ATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low VF Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|