RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 550mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RBR10BGE30ATL за ціною від 37.14 грн до 142.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RBR10BGE30ATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RBR10BGE30ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V |
на замовлення 4583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RBR10BGE30ATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode 30V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low VF |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RBR10BGE30ATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|