Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RBR10BGE30ATL
RBR10BGE30ATL

RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 50A, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchlassspannung, max.: 550mV, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції RBR10BGE30ATL за ціною від 37.14 грн до 153.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor rbr10bge30atl-e.pdf Diode Schottky Si 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.78 грн
270+52.59 грн
500+50.69 грн
1000+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL ROHM rbr10bge30atl-e.pdf Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.50 грн
500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+61.55 грн
100+56.47 грн
500+42.25 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode 30V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low VF
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.22 грн
10+88.12 грн
100+54.54 грн
500+44.94 грн
1000+41.21 грн
2500+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL ROHM rbr10bge30atl-e.pdf Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 550mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.03 грн
10+86.98 грн
100+62.50 грн
500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor rbr10bge30atl-e.pdf Diode Schottky Si 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor rbr10bge30atl-e.pdf Diode Schottky Si 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL rbr10bge30atl-e.pdf
RBR10BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky Si 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
259+54.78 грн
270+52.59 грн
500+50.69 грн
1000+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL rbr10bge30atl-e.pdf
RBR10BGE30ATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+62.50 грн
500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.72 грн
10+61.55 грн
100+56.47 грн
500+42.25 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE30ATL
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode 30V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low VF
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.22 грн
10+88.12 грн
100+54.54 грн
500+44.94 грн
1000+41.21 грн
2500+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL rbr10bge30atl-e.pdf
RBR10BGE30ATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RBR10BGE30ATL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 550mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+153.03 грн
10+86.98 грн
100+62.50 грн
500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL rbr10bge30atl-e.pdf
RBR10BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky Si 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL rbr10bge30atl-e.pdf
RBR10BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky Si 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.